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TrueCore 初芯电子

SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

半导体关键设备 与备件供应

覆盖刻蚀、沉积、离子束与检测四类关键工艺设备及备件耗材,服务半导体制造与研发客户。

SERVICE CAPABILITY

服务能力

以选型、供应、备件与工艺协同四个环节,支撑设备全生命周期的供应服务。

01

设备选型

根据工艺方向、材料体系与晶圆尺寸,协助明确设备类别与配置方向。

02

供应保障

组织设备与配套资源供应,跟进交付周期与到货条件。

03

备件支持

提供常用备件与消耗件供应,配套翻新与替换支持。

04

工艺协同

结合工艺应用经验,支持设备导入后的工艺验证与优化。

PROCESS GALLERY

工艺应用一览

以工艺示意图呈现四类设备方向覆盖的典型加工与检测能力。

硅纳米柱阵列刻蚀截面工艺示意图
硅 nanopillar 刻蚀
倾斜入射离子束塑形柱阵列截面工艺示意图
离子束角度塑形
PECVD 多层介质薄膜截面工艺示意图
PECVD 多层薄膜
EDS 元素面分布分析图
EDS 元素面分布

EQUIPMENT & PROCESS

设备与工艺方向

覆盖等离子体刻蚀、薄膜沉积、离子束与金属沾污检测设备,并配套备件、耗材与工艺支持。

PLASMA ETCHING · ICP / DSE / METAL

等离子体刻蚀设备

面向硅基、化合物半导体与金属材料的图形化刻蚀,可提供 ICP 刻蚀、深硅刻蚀(DSE)与金属刻蚀设备及工艺支持。

  • ICP 刻蚀:硅与化合物半导体图形化
  • 深硅刻蚀(DSE):高深宽比结构
  • 金属刻蚀:金属线条与电极结构
典型应用MEMS、功率器件、化合物半导体

设备图片待补充

THIN FILM DEPOSITION · PECVD / ICP-CVD

薄膜沉积设备

可提供 PECVD 与 ICP-CVD 薄膜沉积设备,覆盖低温沉积、薄膜应力控制与沟槽填充等工艺需求。

  • PECVD:介质薄膜沉积
  • ICP-CVD:低温沉积与沟槽填充
  • 薄膜应力控制与多层膜工艺
典型应用光波导、钝化层、滤波器

设备图片待补充

ION BEAM · IBS / IBD

离子束设备

覆盖离子束塑形(IBS)、离子束沉积(IBD)与特种膜层刻蚀方向,面向特殊材料与纳米结构加工。

  • 离子束塑形(IBS):纳米结构加工
  • 离子束沉积(IBD):特种膜层
  • 特种膜层刻蚀:硬脆与功能材料
典型应用磁存储、传感器、光学薄膜

设备图片待补充

CONTAMINATION INSPECTION · VPD / TXRF

金属沾污检测设备

提供 VPD 气相分解收集与 TXRF 联用检测设备,用于晶圆表面金属沾污与洁净度监控。

  • VPD 气相分解收集
  • TXRF 全反射 X 射线荧光检测
  • 表面洁净度监控流程
典型应用晶圆表面洁净度监控

设备图片待补充

SPARE PARTS & CONSUMABLES

备件与耗材

设备交付之后,备件与耗材供应是保障产线连续运行的关键环节。

01

消耗件供应

覆盖刻蚀与沉积设备的常用工艺消耗件供应。

02

备件保障

提供关键备件供应与库存协同,缩短停机等待时间。

03

翻新与替换支持

针对老化部件提供翻新与替换支持,延长设备使用周期。

TALK TO TRUECORE

告诉我们您的工艺方向与设备需求

提供工艺方向、材料体系与晶圆尺寸,我们据此提供设备选型与供应方案建议。

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