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TrueCore 初芯电子

IBS · IBD

离子束设备

覆盖离子束塑形(IBS)与离子束沉积(IBD)设备方向,面向纳米结构加工与特种膜层制备,支持科研与产业化配置。

设备图片待补充

EQUIPMENT OVERVIEW

面向精细加工与薄膜制备

离子束技术用于纳米结构塑形与高精度薄膜制备,服务于特殊材料与先进器件工艺。

工艺方向
离子束塑形(IBS)与沉积(IBD)
晶圆尺寸
8 英寸 / 12 英寸
配置方向
科研单腔配置 / 量产自动化配置

围绕离子束塑形与沉积需求,结合加工材料、晶圆尺寸和产能要求,选择适合的设备配置。

设备图片待补充

PROCESS & DATA

工艺介绍

离子束塑形(IBS)由离子源引出并加速正离子,溅射样品表面完成微纳结构成形,可处理金属、合金、氧化物、化合物等各类固体材料,束流能量与密度独立控制,支持倾斜入射加工;离子束沉积(IBD)以同类束流原理沉积高性能致密膜层;特种膜层刻蚀融合反应离子刻蚀与离子束工艺,面向磁性叠层等副产物难挥发材料的图形化。

工艺图谱

斜向柱阵列截面工艺示意图
斜向柱阵列截面:倾斜入射离子束塑形
梯形柱对截面工艺示意图
梯形柱对截面:磁性隧道结叠层轮廓控制
圆柱阵列工艺示意图
圆柱阵列:离子束塑形均匀成形
柱阵列 TEM 截面工艺示意图
柱阵列 TEM 截面:多层膜结构完整

工艺数据

EDS 元素分布分析图
EDS 元素分布:磁性隧道结叠层成分分析

TALK TO TRUECORE

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提供材料体系、目标结构与晶圆尺寸,我们据此提供设备配置与供应方案建议。

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