EQUIPMENT OVERVIEW
面向精细加工与薄膜制备
离子束技术用于纳米结构塑形与高精度薄膜制备，服务于特殊材料与先进器件工艺。
- 工艺方向
- 离子束塑形（IBS）与刻蚀（IBE）
- 晶圆尺寸
- 4/6/8 英寸
- 配置方向
- 科研单腔配置 / 量产自动化配置
围绕离子束塑形与刻蚀需求，结合加工材料、晶圆尺寸和产能要求，选择适合的设备配置。
PROCESS & DATA
工艺介绍
离子束塑形（IBS）由离子源引出并加速正离子，溅射样品表面完成微纳结构成形，可处理金属、合金、氧化物、化合物等各类固体材料，束流能量与密度独立控制，支持倾斜入射加工；离子束刻蚀（IBE）以惰性气体离子束对带掩模晶圆做纯物理溅射刻蚀，方向性强、轮廓陡直，不依赖化学反应即可加工金属、绝缘体与难刻化合物，面向磁存储、超导电路、压电与光电材料的精细图形化；特种膜层刻蚀融合反应离子刻蚀与离子束工艺，面向磁性叠层等副产物难挥发材料的图形化。
工艺图谱
工艺数据
TALK TO TRUECORE
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提供材料体系、目标结构与晶圆尺寸，我们据此提供设备配置与供应方案建议。