EQUIPMENT OVERVIEW
为您的材料与工艺选择刻蚀设备
等离子体刻蚀用于半导体图形转移，是前道制造与先进封装的关键工艺环节之一。
- 材料体系
- 硅、金属、化合物半导体
- 晶圆尺寸
- 8 英寸 / 12 英寸
- 配置方向
- 科研单腔配置 / 量产自动化配置
根据加工材料、晶圆尺寸和产能需求选择配置。科研应用侧重工艺调整的灵活性，量产应用侧重自动化与加工一致性。
设备图片待补充
PROCESS & DATA
工艺介绍
电感耦合等离子体刻蚀（ICP）以高密度等离子体沿掩膜图形对材料进行各向异性去除，刻蚀快、选择比高、损伤小，支持硅基材料、金属与 III-V 族化合物半导体；深硅刻蚀采用 Bosch 脉冲工艺实现高深宽比硅结构；金属刻蚀面向铝等金属电极层的图形化。
工艺图谱
TALK TO TRUECORE
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提供材料体系、目标结构与晶圆尺寸，我们据此提供设备配置与供应方案建议。