PECVD · ICP-CVD

Осаждение плёнок

Установки PECVD и ICP-CVD: низкотемпературное осаждение, управление напряжением плёнки и заполнение канавок; диэлектрические и многослойные структуры.

Возможности процесса →Связаться →

Фото оборудования будет добавлено

ОБЗОР ОБОРУДОВАНИЯ

Осаждение для разных плёнок

Осаждение плёнок формирует диэлектрические и функциональные слои — ключевой этап построения структуры прибора и пассивации поверхности.

Типы плёнок: Диэлектрики, многослойные и пассивационные плёнки
Размер пластин: 8 дюймов / 12 дюймов
Конфигурация: НИОКР (одна камера) / автоматизация производства

Конфигурация выбирается по типу плёнки, размеру пластин и производительности, совмещая исследование процесса и стабильность выпуска.

Фото оборудования будет добавлено

ТЕХНОЛОГИЯ И ДАННЫЕ

О процессе

PECVD при 400 °C и ниже осаждает оксид кремния, нитрид кремния, TEOS, BPSG, аморфный кремний и другие диэлектрические и функциональные плёнки; напряжение нитрида кремния регулируется от сжимающего к растягивающему. ICP-CVD осаждает плотные плёнки при температуре ниже 120 °C — плотность близка к LPCVD при 750 °C — и заполняет канавки с высоким аспектным отношением.

Атлас процессов

Схема конформного покрытия PECVD — Конформное покрытие PECVD: равномерное покрытие V-канавок

Схема многослойного стека диэлектрических плёнок — Стек многослойных плёнок: структура фильтра

Схема заполнения канавки ICP-CVD — Заполнение канавки ICP-CVD: высокое аспектное отношение без пустот

Данные процессов

График регулировки напряжения нитрида кремния — Регулировка напряжения SiN: от сжимающего к растягивающему

График скорости травления SiO₂ в BOE — Скорость травления SiO₂ в BOE: линейная связь толщины и времени

НАЧНЁМ ОБСУЖДЕНИЕ

Нужен подбор установки осаждения?

Укажите материалы, целевые структуры и размер пластин — мы предложим конфигурацию и план поставки.

Связаться →